NTJD4105CT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:277
产品型号:ntjd4105ct1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):200
最大漏极电流id(on)(a):0.775
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:小信号20v/-8v ，+0.63a/-0.775a mosfet
价格/1片(套):￥1.90
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):200
最大漏极电流id(on)(a):0.775
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:小信号20v/-8v ，+0.63a/-0.775a mosfet
价格/1片(套):￥1.90
产品型号:ntjd4105ct1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):200
最大漏极电流id(on)(a):0.775
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:小信号20v/-8v ，+0.63a/-0.775a mosfet
价格/1片(套):￥1.90
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):200
最大漏极电流id(on)(a):0.775
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:小信号20v/-8v ，+0.63a/-0.775a mosfet
价格/1片(套):￥1.90
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