NTP125N02RG的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:213
产品型号:ntp125n02rg
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600
最大漏极电流id(on)(a):125
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55 ~150
描述:125 a, 24 v功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600
最大漏极电流id(on)(a):125
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55 ~150
描述:125 a, 24 v功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
产品型号:ntp125n02rg
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600
最大漏极电流id(on)(a):125
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55 ~150
描述:125 a, 24 v功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):24
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600
最大漏极电流id(on)(a):125
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55 ~150
描述:125 a, 24 v功率mosfet
价格/1片(套):￥8.00
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