NTP75N03R的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:429
产品型号:ntp75n03r
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):75
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55~150
描述:90a,24v功率mosfet
价格/1片(套):￥6.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):75
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55~150
描述:90a,24v功率mosfet
价格/1片(套):￥6.00
产品型号:ntp75n03r
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):75
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55~150
描述:90a,24v功率mosfet
价格/1片(套):￥6.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):75
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):to-220/-55~150
描述:90a,24v功率mosfet
价格/1片(套):￥6.00
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