NTQD6968NR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:251
产品型号:ntqd6968nr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:7.0 a, 20 v双功率mosfet
价格/1片(套):￥4.40
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:7.0 a, 20 v双功率mosfet
价格/1片(套):￥4.40
产品型号:ntqd6968nr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:7.0 a, 20 v双功率mosfet
价格/1片(套):￥4.40
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22
最大漏极电流id(on)(a):7
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):tssop8 /-55 ~150
描述:7.0 a, 20 v双功率mosfet
价格/1片(套):￥4.40
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