NTR1P02LT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:223
产品型号:ntr1p02lt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):220
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:-20 v, -1.3 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.20
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):220
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:-20 v, -1.3 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.20
产品型号:ntr1p02lt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):220
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:-20 v, -1.3 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.20
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):220
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:-20 v, -1.3 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.20
上一篇：NTR1P02T1的技术参数
上一篇：NTR1P02LT1的技术参数
相关技术资料- 7-15高分子混合铝电解电容器应用探究
- 7-15高效节能4kW双向PFC电源方案解读
- 7-15离散半导体元件（晶体管、二极管等）技术参数设计
- 7-15CommonGround Human AI核心技术简
- 7-15520线车规级数字化激光雷达应用前景
- 7-15MPronto-12 (M12 Push Pull 连接器R
- 7-14NeuPro NPUs+ SensPro DSP技术参数设计
- 7-14双通道ATA-2022H高压放大器
- 7-14旗舰大模型Grok 4、Grok 4 API发展趋势
- 7-14耦合仿真技术及高保真模型试验技术应用探究
- 7-14GPU、FPGA、ASIC。GPU、FPGA技术解释
- 7-14ASIC/FPGA/GPU芯片及边缘-云端
- 相关IC型号
热门点击
- 1N4001的技术参数
- MUR3060PTG的技术参数
- MUR550APFRLG的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- J112G的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
- MPF4393G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
