NTR4501NT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:285
产品型号:ntr4501nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
产品型号:ntr4501nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
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