NTR4503NT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:221
产品型号:ntr4503nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140
最大漏极电流id(on)(a):2.500
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:30 v, 2.5 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140
最大漏极电流id(on)(a):2.500
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:30 v, 2.5 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
产品型号:ntr4503nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140
最大漏极电流id(on)(a):2.500
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:30 v, 2.5 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140
最大漏极电流id(on)(a):2.500
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150
描述:30 v, 2.5 a,双功率mosfet
价格/1片(套):￥1.30
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