NTS4001NT1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:268
产品型号:nts4001nt1
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1000@4.0v
最大漏极电流id(on)(a):0.270
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sc-70/-55~150
描述:123a,100v单n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1000@4.0v
最大漏极电流id(on)(a):0.270
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sc-70/-55~150
描述:123a,100v单n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.50
产品型号:nts4001nt1
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1000@4.0v
最大漏极电流id(on)(a):0.270
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sc-70/-55~150
描述:123a,100v单n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1000@4.0v
最大漏极电流id(on)(a):0.270
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sc-70/-55~150
描述:123a,100v单n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.50
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