NTS4409NT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:293
产品型号:nts4409nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):249@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.750
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-323/-55~150
描述:0.75a,25v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥1.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):249@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.750
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-323/-55~150
描述:0.75a,25v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥1.00
产品型号:nts4409nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):249@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.750
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-323/-55~150
描述:0.75a,25v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥1.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):249@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.750
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-323/-55~150
描述:0.75a,25v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥1.00
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