NTTS2P03R2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:217
产品型号:ntts2p03r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135
最大漏极电流id(on)(a):2.480
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):micro8/-55 ~150
描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135
最大漏极电流id(on)(a):2.480
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):micro8/-55 ~150
描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.50
产品型号:ntts2p03r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135
最大漏极电流id(on)(a):2.480
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):micro8/-55 ~150
描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):135
最大漏极电流id(on)(a):2.480
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):micro8/-55 ~150
描述:-2.48 a, -30 v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.50
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