BAT54SWT1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:263
产品型号:bat54swt1
反向峰值电压(v):30
反向雪崩电压典型值(v):－
最大平均正向电流(ma):200
最大全周期正向压降1:220mv @ 0.1ma
最大全周期正向压降2:410mv @30ma
封装/温度(℃):sot-23/125(max)
描述:双肖特基二极管
价格/1片(套):￥.40
反向峰值电压(v):30
反向雪崩电压典型值(v):－
最大平均正向电流(ma):200
最大全周期正向压降1:220mv @ 0.1ma
最大全周期正向压降2:410mv @30ma
封装/温度(℃):sot-23/125(max)
描述:双肖特基二极管
价格/1片(套):￥.40
产品型号:bat54swt1
反向峰值电压(v):30
反向雪崩电压典型值(v):－
最大平均正向电流(ma):200
最大全周期正向压降1:220mv @ 0.1ma
最大全周期正向压降2:410mv @30ma
封装/温度(℃):sot-23/125(max)
描述:双肖特基二极管
价格/1片(套):￥.40
反向峰值电压(v):30
反向雪崩电压典型值(v):－
最大平均正向电流(ma):200
最大全周期正向压降1:220mv @ 0.1ma
最大全周期正向压降2:410mv @30ma
封装/温度(℃):sot-23/125(max)
描述:双肖特基二极管
价格/1片(套):￥.40
上一篇：NSR15DW1T1的技术参数
上一篇：BAT54SLT1的技术参数
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
热门点击
- 1N4001的技术参数
- MUR3060PTG的技术参数
- MUR550APFRLG的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- MMSZ18T1G的技术参数
- 1N5349B的技术参数
- SM05T1的技术参数
- MMSZ16T1G的技术参数
- BYW51-200G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
