MM3Z18VT1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:255
产品型号:mm3z18vt1
齐纳击穿电压vz最小值(v):16.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):19.100
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0w
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):16.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):19.100
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0w
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mm3z18vt1
齐纳击穿电压vz最小值(v):16.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):19.100
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0w
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):16.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):19.100
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0w
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
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