MM3Z27VT1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:262
产品型号:mm3z27vt1
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.900
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):300
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:12
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.900
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):300
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:12
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mm3z27vt1
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.900
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):300
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:12
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.900
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):300
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:12
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
上一篇：MM3Z2V4ST1G的技术参数
上一篇：MM3Z24VT1G的技术参数
相关技术资料- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 相关IC型号
热门点击
- MJ11015G的技术参数
- SBC817-25LT1G的技术参数
- 2N4401的技术参数
- BC846AWT1G的技术参数
- 2N3055HG的技术参数
- MMSZ18T1G的技术参数
- BCP56-16T1G的技术参数
- EMC3DXV5T1G的技术参数
- SM05T1的技术参数
- MMSZ16T1G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
