MM3Z9V1ST1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:247
产品型号:mm3z9v1st1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.230
@izt(ma):160
齐纳阻抗zzt(ω):15
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:tk
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.230
@izt(ma):160
齐纳阻抗zzt(ω):15
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:tk
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mm3z9v1st1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.230
@izt(ma):160
齐纳阻抗zzt(ω):15
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:tk
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.230
@izt(ma):160
齐纳阻抗zzt(ω):15
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:tk
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
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