MM5Z2V7ST1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:285
产品型号:mm5z2v7st1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.670
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.700
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.910
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:t3
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.30
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.670
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.700
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.910
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:t3
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.30
产品型号:mm5z2v7st1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.670
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.700
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.910
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:t3
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.30
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.670
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.700
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.910
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:t3
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.30
上一篇：MM5Z2V7T1的技术参数
上一篇：MM5Z2V4T1G的技术参数
相关技术资料- 7-12PWM输入功率驱动器工作原理
- 7-12隔离式 DC/DC 变换器和模块优势特征
- 7-12解读集成4 个高效降压 DC/DC 变换器
- 7-12数字隔离功能全集成 DC/DC 电源变换器简述
- 7-12集成低噪声电流输入模数转换器 (ADC)应用详解
- 7-12128 通道20 位电流数字转换器应用探究
- 7-11最新12kW量产电源参考设计简述
- 7-11第三代快速碳化硅MOSFET技术参数应用
- 7-11800 V高压直流 (HVDC)全新架构电源系统
- 7-11串行千兆位媒体独立接口（SGMII和RGMII）
- 7-11Analog Devices ADIN3310应用详情
- 7-11干簧传感器MK17系列应用详解
- 相关IC型号
热门点击
- MJ11015G的技术参数
- SBC817-25LT1G的技术参数
- 2N4401的技术参数
- BC846AWT1G的技术参数
- 2N3055HG的技术参数
- MMSZ18T1G的技术参数
- BCP56-16T1G的技术参数
- EMC3DXV5T1G的技术参数
- SM05T1的技术参数
- MMSZ16T1G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
