MM5Z6V2T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:350
产品型号:mm5z6v2t1
齐纳击穿电压vz最小值(v):5.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):6.200
齐纳击穿电压vz最大值(v):6.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.100
芯片标识:0e
封装/温度(℃):sod523/-65~150
价格/1片(套):￥.45
齐纳击穿电压vz最小值(v):5.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):6.200
齐纳击穿电压vz最大值(v):6.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.100
芯片标识:0e
封装/温度(℃):sod523/-65~150
价格/1片(套):￥.45
产品型号:mm5z6v2t1
齐纳击穿电压vz最小值(v):5.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):6.200
齐纳击穿电压vz最大值(v):6.600
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齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.100
芯片标识:0e
封装/温度(℃):sod523/-65~150
价格/1片(套):￥.45
齐纳击穿电压vz最小值(v):5.800
齐纳击穿电压vz典型值(v):6.200
齐纳击穿电压vz最大值(v):6.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.100
芯片标识:0e
封装/温度(℃):sod523/-65~150
价格/1片(套):￥.45
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