MMBZ5239BLT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:246
产品型号:mmbz5239blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mmbz5239blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
热门点击
- MJ11015G的技术参数
- MJE15033G的技术参数
- SBC817-25LT1G的技术参数
- 2N4401的技术参数
- BC846AWT1G的技术参数
- 2N3055HG的技术参数
- MJE15034G的技术参数
- MMSZ18T1G的技术参数
- BCP56-16T1G的技术参数
- MJE13003G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
