MMBZ5239BLT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:245
产品型号:mmbz5239blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mmbz5239blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):8.640
齐纳击穿电压vz典型值(v):9.100
齐纳击穿电压vz最大值(v):9.560
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8p
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.25
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