MMBZ5260BLT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:259
产品型号:mmbz5260blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):40.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):43
齐纳击穿电压vz最大值(v):45.150
@izt(ma):3
齐纳阻抗zzt(ω):93
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:81l
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.18
齐纳击穿电压vz最小值(v):40.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):43
齐纳击穿电压vz最大值(v):45.150
@izt(ma):3
齐纳阻抗zzt(ω):93
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:81l
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.18
产品型号:mmbz5260blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):40.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):43
齐纳击穿电压vz最大值(v):45.150
@izt(ma):3
齐纳阻抗zzt(ω):93
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:81l
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.18
齐纳击穿电压vz最小值(v):40.850
齐纳击穿电压vz典型值(v):43
齐纳击穿电压vz最大值(v):45.150
@izt(ma):3
齐纳阻抗zzt(ω):93
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:81l
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):￥.18
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