MMSZ4700T1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:279
产品型号:mmsz4700t1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):12.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):13
齐纳击穿电压vz最大值(v):13.650
@izt(ma):0.050
齐纳阻抗zzt(ω):-
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:dj
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):12.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):13
齐纳击穿电压vz最大值(v):13.650
@izt(ma):0.050
齐纳阻抗zzt(ω):-
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:dj
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:mmsz4700t1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):12.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):13
齐纳击穿电压vz最大值(v):13.650
@izt(ma):0.050
齐纳阻抗zzt(ω):-
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:dj
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):12.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):13
齐纳击穿电压vz最大值(v):13.650
@izt(ma):0.050
齐纳阻抗zzt(ω):-
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:dj
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
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