MMSZ5224BT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:309
产品型号:mmsz5224bt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.660
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.800
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.940
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):30
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:c4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.660
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.800
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.940
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齐纳阻抗zzt(ω):30
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:c4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:mmsz5224bt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.660
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.800
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.940
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):30
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:c4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.660
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.800
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.940
@izt(ma):20
齐纳阻抗zzt(ω):30
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:c4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
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