MMSZ5254BT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:241
产品型号:mmsz5254bt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.650
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.350
@izt(ma):4.600
齐纳阻抗zzt(ω):41
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:k4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.650
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.350
@izt(ma):4.600
齐纳阻抗zzt(ω):41
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:k4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:mmsz5254bt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.650
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.350
@izt(ma):4.600
齐纳阻抗zzt(ω):41
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:k4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):25.650
齐纳击穿电压vz典型值(v):27
齐纳击穿电压vz最大值(v):28.350
@izt(ma):4.600
齐纳阻抗zzt(ω):41
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:k4
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):暂无
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