SM12T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:387
产品型号:sm12t1
齐纳击穿电压vz最小值(v):300
齐纳击穿电压vz典型值(v):13.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):－
@izt(ma):15.750
齐纳阻抗zzt(ω):1
最大功率pmax(w):－
芯片标识:12m
封装/温度(℃):sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥1.20
齐纳击穿电压vz最小值(v):300
齐纳击穿电压vz典型值(v):13.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):－
@izt(ma):15.750
齐纳阻抗zzt(ω):1
最大功率pmax(w):－
芯片标识:12m
封装/温度(℃):sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥1.20
产品型号:sm12t1
齐纳击穿电压vz最小值(v):300
齐纳击穿电压vz典型值(v):13.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):－
@izt(ma):15.750
齐纳阻抗zzt(ω):1
最大功率pmax(w):－
芯片标识:12m
封装/温度(℃):sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥1.20
齐纳击穿电压vz最小值(v):300
齐纳击穿电压vz典型值(v):13.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):－
@izt(ma):15.750
齐纳阻抗zzt(ω):1
最大功率pmax(w):－
芯片标识:12m
封装/温度(℃):sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥1.20
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