SZBZX84C33LT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:267
产品型号:szbzx84c33lt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:y12
封装/温度(℃):sot-23/-65~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:y12
封装/温度(℃):sot-23/-65~150
价格/1片(套):暂无
产品型号:szbzx84c33lt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:y12
封装/温度(℃):sot-23/-65~150
价格/1片(套):暂无
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:y12
封装/温度(℃):sot-23/-65~150
价格/1片(套):暂无
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