MMBZ12VALT1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:222
产品型号:mmbz12valt1
齐纳击穿电压vz最小值(v):11.400
齐纳击穿电压vz典型值(v):12
齐纳击穿电压vz最大值(v):12.600
@izt(ma):1
描述:表面安装双齐纳二极管,共阳
封装/温度(℃):3sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥.40
齐纳击穿电压vz最小值(v):11.400
齐纳击穿电压vz典型值(v):12
齐纳击穿电压vz最大值(v):12.600
@izt(ma):1
描述:表面安装双齐纳二极管,共阳
封装/温度(℃):3sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥.40
产品型号:mmbz12valt1
齐纳击穿电压vz最小值(v):11.400
齐纳击穿电压vz典型值(v):12
齐纳击穿电压vz最大值(v):12.600
@izt(ma):1
描述:表面安装双齐纳二极管,共阳
封装/温度(℃):3sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥.40
齐纳击穿电压vz最小值(v):11.400
齐纳击穿电压vz典型值(v):12
齐纳击穿电压vz最大值(v):12.600
@izt(ma):1
描述:表面安装双齐纳二极管,共阳
封装/温度(℃):3sot-23/-55~150
价格/1片(套):￥.40
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