MSQA6V1W5T2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:296
产品型号:msqa6v1w5t2g
雪崩电压vbrmin(v):6.100
雪崩电压vbrnom(v):6.600
雪崩电压vbrmax(v):7.200
it(ma):1
最大反向漏电流ir(na):1000
峰值反向工作电压vrwm(v):3
最大反向浪涌电流ipp(a):－
最大反向电压(钳位电压)vc(v):－
最大齐纳阻抗zzt(w):－
封装/温度(℃):5sot-323/-55~150
描述:150w四共阳tvs
价格/1片(套):￥.68
雪崩电压vbrmin(v):6.100
雪崩电压vbrnom(v):6.600
雪崩电压vbrmax(v):7.200
it(ma):1
最大反向漏电流ir(na):1000
峰值反向工作电压vrwm(v):3
最大反向浪涌电流ipp(a):－
最大反向电压(钳位电压)vc(v):－
最大齐纳阻抗zzt(w):－
封装/温度(℃):5sot-323/-55~150
描述:150w四共阳tvs
价格/1片(套):￥.68
产品型号:msqa6v1w5t2g
雪崩电压vbrmin(v):6.100
雪崩电压vbrnom(v):6.600
雪崩电压vbrmax(v):7.200
it(ma):1
最大反向漏电流ir(na):1000
峰值反向工作电压vrwm(v):3
最大反向浪涌电流ipp(a):－
最大反向电压(钳位电压)vc(v):－
最大齐纳阻抗zzt(w):－
封装/温度(℃):5sot-323/-55~150
描述:150w四共阳tvs
价格/1片(套):￥.68
雪崩电压vbrmin(v):6.100
雪崩电压vbrnom(v):6.600
雪崩电压vbrmax(v):7.200
it(ma):1
最大反向漏电流ir(na):1000
峰值反向工作电压vrwm(v):3
最大反向浪涌电流ipp(a):－
最大反向电压(钳位电压)vc(v):－
最大齐纳阻抗zzt(w):－
封装/温度(℃):5sot-323/-55~150
描述:150w四共阳tvs
价格/1片(套):￥.68
上一篇：MSQA6V1W5T2的技术参数
相关技术资料- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 相关IC型号
热门点击
- 安森美半导体公司推出的电源管理芯片NCP10
- 芯片封装工艺流程图
- 芯片测试
- 铅酸蓄电池容量恢复器
- 汽车发动机超温报警器
- 感应式防盗报警器 (四)
- MCM (Multi Chip Model)
- 触摸式防盗报警器(三)
- 摩托车防盗报警器 (八)
- 多路断线式防盗报警器 (一)
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
