NZF220DFT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:270
产品型号:nzf220dft1g
最大雪崩电压vbr(v)最小值:7
最大雪崩电压vbr(v)典型值:8
反向漏电流ir(ua)最大值:1
反向工作电压vrwm(v):3
线电容cline（pf）@2.5v典型值:7.500
电阻典型值(ω):100
电阻最大值(ω):110
封装/温度(℃):sc-88a/150max
描述:emi滤波带esd保护
价格/1片(套):￥1.90
最大雪崩电压vbr(v)最小值:7
最大雪崩电压vbr(v)典型值:8
反向漏电流ir(ua)最大值:1
反向工作电压vrwm(v):3
线电容cline（pf）@2.5v典型值:7.500
电阻典型值(ω):100
电阻最大值(ω):110
封装/温度(℃):sc-88a/150max
描述:emi滤波带esd保护
价格/1片(套):￥1.90
产品型号:nzf220dft1g
最大雪崩电压vbr(v)最小值:7
最大雪崩电压vbr(v)典型值:8
反向漏电流ir(ua)最大值:1
反向工作电压vrwm(v):3
线电容cline（pf）@2.5v典型值:7.500
电阻典型值(ω):100
电阻最大值(ω):110
封装/温度(℃):sc-88a/150max
描述:emi滤波带esd保护
价格/1片(套):￥1.90
最大雪崩电压vbr(v)最小值:7
最大雪崩电压vbr(v)典型值:8
反向漏电流ir(ua)最大值:1
反向工作电压vrwm(v):3
线电容cline（pf）@2.5v典型值:7.500
电阻典型值(ω):100
电阻最大值(ω):110
封装/温度(℃):sc-88a/150max
描述:emi滤波带esd保护
价格/1片(套):￥1.90
上一篇：NZF220TT1的技术参数
相关技术资料- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 相关IC型号
热门点击
- 安森美半导体公司推出的电源管理芯片NCP10
- 芯片封装工艺流程图
- 芯片测试
- 铅酸蓄电池容量恢复器
- Silicon Labs发表完全集成式AM/
- 汽车发动机超温报警器
- 感应式防盗报警器 (四)
- MCM (Multi Chip Model)
- 触摸式防盗报警器(三)
- 摩托车防盗报警器 (八)
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
