MCR12DSMT4G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:317
产品型号:mcr12dsmt4g
断态重复峰值电压vdrm，vrrm)(v):400
平均通态电流it(rms)(a):12
门触发电流igt(max)(ma):20
门触发电压vgt(max)(v):1
封装/温度(℃):3dpak/-40~125
价格/1片(套):暂无
断态重复峰值电压vdrm，vrrm)(v):400
平均通态电流it(rms)(a):12
门触发电流igt(max)(ma):20
门触发电压vgt(max)(v):1
封装/温度(℃):3dpak/-40~125
价格/1片(套):暂无
产品型号:mcr12dsmt4g
断态重复峰值电压vdrm，vrrm)(v):400
平均通态电流it(rms)(a):12
门触发电流igt(max)(ma):20
门触发电压vgt(max)(v):1
封装/温度(℃):3dpak/-40~125
价格/1片(套):暂无
断态重复峰值电压vdrm，vrrm)(v):400
平均通态电流it(rms)(a):12
门触发电流igt(max)(ma):20
门触发电压vgt(max)(v):1
封装/温度(℃):3dpak/-40~125
价格/1片(套):暂无
上一篇：MCR12LNG的技术参数
上一篇：MCR12DG的技术参数
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
热门点击
- 安森美半导体公司推出的电源管理芯片NCP10
- 芯片封装工艺流程图
- 芯片测试
- 铅酸蓄电池容量恢复器
- Silicon Labs发表完全集成式AM/
- 汽车发动机超温报警器
- 感应式防盗报警器 (四)
- MCM (Multi Chip Model)
- 触摸式防盗报警器(三)
- ADI公司发布用于电容和阻抗精确测量的单芯片
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
