IR DirectFET MOSFET芯片组
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:398
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出两款新型的30v directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计,满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。
新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,而每个器件都经过特别设计,在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗,同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。
其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能,每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20a的应用,可有效提升热性能。
irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装,irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装,可以轻松地将irf6611替换为irf6678,满足更大电流和散热性能的需求。
新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统。
ir的directfet mosfet封装已经获得了专利,其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能,把用以驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外,采用directfet封装的器件均不含铅和溴化物。
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出两款新型的30v directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计,满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。
新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,而每个器件都经过特别设计,在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗,同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。
其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能,每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20a的应用,可有效提升热性能。
irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装,irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装,可以轻松地将irf6611替换为irf6678,满足更大电流和散热性能的需求。
新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流dc-dc转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统。
ir的directfet mosfet封装已经获得了专利,其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能,把用以驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外,采用directfet封装的器件均不含铅和溴化物。
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