近年来，闪速存储器已应用在数以千计的产品中，特别是移动通信、mp3音乐播放器、手持pc管理器、数码相机、网络路由器、舱内录音机等工业产品。闪速存储器由于具有非易失性和电可编程擦除性，从而具有半导体存储器的读取速度快、存储容量大等优点，同时又克服了dram及sram断电丢失所存数据的缺陷。与eprom相比较，闪速存储器的优势在于系统电可擦除和可重复编程，且不需要特殊的高电压，此外，它还有成本低，密度大的特点。

　　闪速存储器由于各自技术架构的不同，又可分为nor技术、nand技术、and技术和由eeprom派生的闪速存储器。以eeprom做闪速存储阵列的flash memory，如sst的小扇区结构闪速存储器具有eeprom与nor技术flash memory二者折中的性能特点：（1）读写的灵活性逊于eeprom，但与nor技术flash memory的块结构相比，其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（2）与eeprom比较，具有明显的成本优势。

　　sst25vf系列产品，是业界第一个完整的串行闪存产品系列，其记忆容量包含512kbit至16mbit，且采用产业标准的8接脚soic封装及超薄型wson封装技术。此外，sst最新串行闪存提供最新自动地址增值（aai）资料写入模式，与单一字节资料写入模式相比，该资料写入模式能够将整个闪存的资料写入时间减少50%。sst25vf系列是以高效能超快闪技术为基础，加上四线及串行外围界面（spi），相对平行eeprom等非挥发性内存解决方案而言，sst的串行式闪存产品使用较少的接脚，将资料往返于系统cpu，因此可减少电路板空间、耗能及成本。

芯片介绍

芯片引脚介绍

　　sst25vf020是sst25vf系列产品中的一员，其芯片具有以下特点：总容量为2m；单电源读和写操作，工作电压为2.7-3.3v；低功耗，工作电流为7ma，等待电流为3μa；时钟频率高达33mhz，快速编程、快速擦除、快速读取；小型一致闪区尺寸4kb；数据保存100年；cmos i/o兼容等。

状态寄存器

　　状态寄存器用来对芯片的工作模式进行设定，在工作过程中，可以提供芯片的工作状态，比如读、写、写保护等。

工作过程

　　首先设置状态寄存器，对flash的工作模式、写使能以及写保护区域进行设定。在读写的过程中，还可以通过读寄存器内容来判断flash当前的工作状态。设定结束后，可以开始读写操作。

写操作

　　选用自动地址增值写入（aai）模式，这种模式在写入大量数据时可以缩短程序运行时间。在写操作中，首先写入写使能命令字（0x06），aai模式以af为写命令，顺序写入存储起始地址和存储数据，每传送完一字节的数据时，时钟位置高，为写下一字节数据做准备。当数据全部写入时，写终止写使能命令字（0x04），写操作结束。在整个写过程中，状态寄存器中的busy位始终为1，写操作结束后，busy自动复位。

读操作

　　在读操作中，首先写入读命令字（0x03），然后写入读取数据的起始地址，数据会顺序读出，直至读完。如果地址累加至7ffff，下次数据读取会从00000地址开始。在整个读过程中，状态寄存器中的busy位始终为1，写操作结束后，busy自动复位。

擦除操作

　　sst25vf020提供3种芯片擦除方式：扇区擦除、块擦除和全擦除。命令字分别为0x20、0x52、0x60，可分别实现不同范围的擦除。在整个擦除过程中，状态寄存器中的busy位始终为1，擦除操作结束后，busy自动复位。

硬件电路

　　系统控制器选用msp430f149单片机，对温度传感器信号进行模数转换后采样，将采集到的数据通过spi串行通信存储到flash中。当系统通过异步串口和pc机相连时，通过spi串行通信将储存到flash中的数据读到pc机中，从而对采集的数据进行分析、处理。将采集到的数据保存后，即可擦除flash，为下一次采集做准备。存储电路连接如图4所示。通过上拉电阻将ce#、so端的初始状态置为高电平，写保护端始终为高电平。相应的输入输出端、时钟信号端和使能端分别和单片机接口相连。

关键源程序

case 0x03: /* 读数据 */
txbuf1 =0x03; // 发读命令字
while (ifg2&0x20==0x00); // 发送完否？
for(i=0;i<=2;i++) /* 发送地址 */
{txbuf1=addr[i];
while (ifg2&0x20==0x00);}//发送完否?
for(i=0;i<=19;i++) /* 读取数据 */
{ txbuf1=0x33 ; // 发送伪数据用于产生接收数据clk
while (ifg2&0x20==0x00); // 发送完否？
while( ifg2&0x10==0x00) ;
backdata1[i]=rxbuf1 ;} //存放读取的数据
delay(2) ;
p5out |=0x01 ; // 拉高 ste1
delay(200) ;
break;
case 0xaf: /* aai 模式 写数据 */
p5out &=~0x01 ; // 拉 底 ste1
delay(2) ;
txbuf1 =0x06 ; /* write enable */
while (i