ST新串行快闪记忆体可抹除页面功能
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:967
新产品采用四线高速串行介面,并未使用平行记忆体匯流排,能缩小封装及减少接脚。此记忆体分为 32个记忆段,每段包含 256个记忆页,每个记忆页包含 256位元组。此外,每段又分为 16个子段,每个子段包含 16 个记忆页。利用页面写入或页面编程指令,记忆体一次可以写入1至256 位元组的程式码或编程。 使用bulk erase 指令,一次可以抹除一页、一个子段、一个储存段或整个记忆体,其 erase及program 区块适合用来储存bios 的变数。
新推出的m25pe16 拥有增强的保护功能,能够防止发生意外的编程和抹除。根据不同的应用需求,混合使用挥发性和非挥发性保护功能,藉由软体或硬体使记忆体可以具有防写保护的功能,保护区块是 64-kbyte(区块)或者4-kbyte( 位于0 和31内的子区块)。
该产品使用单电源电压,其工作电压范围为 2.7v到3.6v ,工作温度范围为摄氏负40 到85度,可降低系统功率消耗的 1-microamp deep power-down 模式,以及可用来识别装置的jedec 标准双位元组电子签名。资料储存期限可长达20年以上,每个储存区块可重覆100,000次的抹写。
m25pe16 样品现已供应中,提供s08w 封装和5mm x 6mm 极小的mlp8 rohs 相容的ecopack 封装,预计2007 年1月开始量产。
新产品采用四线高速串行介面,并未使用平行记忆体匯流排,能缩小封装及减少接脚。此记忆体分为 32个记忆段,每段包含 256个记忆页,每个记忆页包含 256位元组。此外,每段又分为 16个子段,每个子段包含 16 个记忆页。利用页面写入或页面编程指令,记忆体一次可以写入1至256 位元组的程式码或编程。 使用bulk erase 指令,一次可以抹除一页、一个子段、一个储存段或整个记忆体,其 erase及program 区块适合用来储存bios 的变数。
新推出的m25pe16 拥有增强的保护功能,能够防止发生意外的编程和抹除。根据不同的应用需求,混合使用挥发性和非挥发性保护功能,藉由软体或硬体使记忆体可以具有防写保护的功能,保护区块是 64-kbyte(区块)或者4-kbyte( 位于0 和31内的子区块)。
该产品使用单电源电压,其工作电压范围为 2.7v到3.6v ,工作温度范围为摄氏负40 到85度,可降低系统功率消耗的 1-microamp deep power-down 模式,以及可用来识别装置的jedec 标准双位元组电子签名。资料储存期限可长达20年以上,每个储存区块可重覆100,000次的抹写。
m25pe16 样品现已供应中,提供s08w 封装和5mm x 6mm 极小的mlp8 rohs 相容的ecopack 封装,预计2007 年1月开始量产。