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单片机大容量FLASHRAM的扩展

发布时间:2007/9/11 0:00:00 访问次数:837

微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断和维修提供准确可靠的信息,如飞机“黑匣子”、列车“运行记录器”等。数据信息的记录需要大数据容量和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性RAM(NVRAM)为存储介质,其缺点是没有硬件和软件写保护,在强干扰下,程序误写的概率大。

新型闪速存储器(FLASHRAM)由于同时具有EPROM的可编程能力和EEPROM的电可擦写功能,又能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多的受到国内外的广泛关注和应用。28F040是一个容量为512K×8Bit可块擦除、字节编程的EEPROM,其擦除、编程电压均为5V。

美国SST公司FLASHRAM28S040的性能特点及技术参数

(1)单电源5V供电

(2)容量512×8Bit

(3)数据保存时间大于10年

(4)重复擦写次数典型值100,000次

(5)可分块擦除每块256字节

(6)可进行硬件及软件定写保护

(7)快速读取时间(150~200)ns

其引脚功能如下:A0~A18为地址线,A0~A7选择一块数据中的某个字节,A8~A18是块地址。DQ7~DQ0为数据I/O总线,读周期输出数据,在写周期接收数据。CE为片先线,低电平时芯片被选中。OE为输出使能端。WE为写信号使能端。VCC为电源,接+5V;VSS接地。

28SF040是一个容量为512Kbyte的CMOS快速闪存,可块擦除、字节编程的EEPROM,与现存的EPROM、EEPROM兼容。它非常适合用程序和数据重复写入的场合。对这种系统的应用来说,28SF040可提高性能和稳定性。

FLASHRAM与80C196单片机接口实例

28SF040是容量并行存储器共计512Kbyte,而80C196全部寻址空间仅为64Kbyte,因此直接寻址大于64Kbyte的存储器是不行的,需要采用分而扩展技术,即CPU只提供大容量存储器的低位地址线,如A0~A12,而高位地址线A13~A18则通过扩展的CPU的I/O口来分页寻址。

1.分页扩展28SF040原理框图

图1中单片机采用Intel垢80C196,其P1口的P1.0~P1.5来控制分页码*(0~63)。74HC138译码给28SF040的片选,其地址空间为8000H~9FFFH(也可以是4000~5FFFH等其他CPU 8K的地址空间),图中74HC373为地址锁存器。

    有关地址描述如下:

[A15,A14,A13]通过138译码后形成8Kbyte空间的译码线对28SF040进行片选。

28SF040共512Kbyte的空间,可分为64个8Kbyte,即64页,每页8Kbyte的空间。其中,28SF040的[A12,A11,…,A0]地址线直接与CPU的[A12,A11,…,A0]相接,高位地址线[A18,A17,A16,A15,A14,A13]通过CPU P1口的[P1.5,P1.4,P1.3,P1.2,P1.1,P1.0]进行页选。

2.FLASHRAM指定空间的寻址

在数据记录和转储过程中,有时需要对FLASHRAM特定的地址单元进行读写操作,如FLASHRAM的软件写保护等。下面以对FLASHRAM的红外线对地址15555H单元寻址为例,介绍对特定地址寻址。

15555H是FLASHRAM28SF040的绝对地址,对于CPU来说,其寻址包括两部分,一是CPU的直接寻址区,即地址线A0~A12,直接和FLASHRAM的地址线A0~A12相接,其值为[1010101010101],另一部分是CPU的译码地址,即地址线A13'~A15',没有和FLASHRAM相接,用于系统译码片选FLASHRAM,其值为[100],因此CPU的地址为[1001010101010101]=9555H。

P1口直接和FLASHRAM的A13~A18相接,等于[001010]=0AH。

微机监控设备常常需要对监控的数据进行实时记录,以便于事后分析处理,为事故分析、设备故障诊断和维修提供准确可靠的信息,如飞机“黑匣子”、列车“运行记录器”等。数据信息的记录需要大数据容量和实时快速的读写速度,以及在掉电和复位等干扰下的可靠的数据保护。现在一般采用非易失性RAM(NVRAM)为存储介质,其缺点是没有硬件和软件写保护,在强干扰下,程序误写的概率大。

新型闪速存储器(FLASHRAM)由于同时具有EPROM的可编程能力和EEPROM的电可擦写功能,又能像SRAM一样进行随机快速访问,因而越来越多的受到国内外的广泛关注和应用。28F040是一个容量为512K×8Bit可块擦除、字节编程的EEPROM,其擦除、编程电压均为5V。

美国SST公司FLASHRAM28S040的性能特点及技术参数

(1)单电源5V供电

(2)容量512×8Bit

(3)数据保存时间大于10年

(4)重复擦写次数典型值100,000次

(5)可分块擦除每块256字节

(6)可进行硬件及软件定写保护

(7)快速读取时间(150~200)ns

其引脚功能如下:A0~A18为地址线,A0~A7选择一块数据中的某个字节,A8~A18是块地址。DQ7~DQ0为数据I/O总线,读周期输出数据,在写周期接收数据。CE为片先线,低电平时芯片被选中。OE为输出使能端。WE为写信号使能端。VCC为电源,接+5V;VSS接地。

28SF040是一个容量为512Kbyte的CMOS快速闪存,可块擦除、字节编程的EEPROM,与现存的EPROM、EEPROM兼容。它非常适合用程序和数据重复写入的场合。对这种系统的应用来说,28SF040可提高性能和稳定性。

FLASHRAM与80C196单片机接口实例

28SF040是容量并行存储器共计512Kbyte,而80C196全部寻址空间仅为64Kbyte,因此直接寻址大于64Kbyte的存储器是不行的,需要采用分而扩展技术,即CPU只提供大容量存储器的低位地址线,如A0~A12,而高位地址线A13~A18则通过扩展的CPU的I/O口来分页寻址。

1.分页扩展28SF040原理框图

图1中单片机采用Intel垢80C196,其P1口的P1.0~P1.5来控制分页码*(0~63)。74HC138译码给28SF040的片选,其地址空间为8000H~9FFFH(也可以是4000~5FFFH等其他CPU 8K的地址空间),图中74HC373为地址锁存器。

    有关地址描述如下:

[A15,A14,A13]通过138译码后形成8Kbyte空间的译码线对28SF040进行片选。

28SF040共512Kbyte的空间,可分为64个8Kbyte,即64页,每页8Kbyte的空间。其中,28SF040的[A12,A11,…,A0]地址线直接与CPU的[A12,A11,…,A0]相接,高位地址线[A18,A17,A16,A15,A14,A13]通过CPU P1口的[P1.5,P1.4,P1.3,P1.2,P1.1,P1.0]进行页选。

2.FLASHRAM指定空间的寻址

在数据记录和转储过程中,有时需要对FLASHRAM特定的地址单元进行读写操作,如FLASHRAM的软件写保护等。下面以对FLASHRAM的红外线对地址15555H单元寻址为例,介绍对特定地址寻址。

15555H是FLASHRAM28SF040的绝对地址,对于CPU来说,其寻址包括两部分,一是CPU的直接寻址区,即地址线A0~A12,直接和FLASHRAM的地址线A0~A12相接,其值为[1010101010101],另一部分是CPU的译码地址,即地址线A13'~A15',没有和FLASHRAM相接,用于系统译码片选FLASHRAM,其值为[100],因此CPU的地址为[1001010101010101]=9555H。

P1口直接和FLASHRAM的A13~A18相接,等于[001010]=0AH。

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