内存明年走势,公司法人不同调
发布时间:2007/9/8 0:00:00 访问次数:547
今年九月至十一月间,国内主机板及笔记型计算机业者出货量大增,但却看不到对DRAM下跌行情,有多大的“翻盘”作用存在,其中原因除了DDR及DDR2的主流规格转换不顺外,DRAM厂产能下半年不断开出,造成市场供给过剩亦是原因之一。不过对于明年行情如何,在芯片组厂释出供货将趋顺畅消息下,DRAM厂商已偏多看待,只是市场法人看法还是偏空,认为DRAM供给成长率未见缩小之前,心态仍应保守。
以历史经验来看,DRAM市场每年行情高点应会落在十月至十一月间,但是今年却是例外,价格高点在八月底、九月初时就已见到,且在短短不到四个月时间,DRAM平均价格已大跌四成幅度,不仅DRAM业者感到意外,连以主机板及笔记型计算机出货量来推估DRAM需求的市场法人,这回也失了准头,预测数字完全不准。
分析DRAM市场为何出现此一现象?主要原因有二,其一是包括OEM计算机大厂及大型模块厂等主要买家,因乐观看待下半年景气,今年六月起就开始大量回补库存,但第三季受到芯片组缺货影响,买气一直无法刺激出来,在主要买家都在去化库存的情况下,才会造成今年DRAM市场没有返校采购(back to school)及圣诞节旺季应有的强劲需求。
第二个原因,就是DRAM市场DDR及DDR2主流规格转换不顺,且DRAM厂新产能开出速度太快,也没见到NAND闪存及DRAM间出现产能排挤效应,其中又以后者原因影响最大。由于台湾DRAM厂认为国际大厂移转DRAM产能生产NAND芯片后,会造成DRAM供给量减少,所以大幅扩张产能量产,但是包括三星、Hynix、美光等业者在内,下半年DRAM月产能还是逐月增加,在错估市况下,造成DRAM供给过剩,自然见不到DRAM有好价格出现。
如今随着芯片组供货问题逐步获得解决,包括南亚科、茂德在内的DRAM厂,对明年第一季景气真是愈看愈乐观,认为第四季应出现而未出现的需求,会延后到明年发酵。只是在DRAM厂产能开出速度如装上马达般,源源不绝的开出下,市场法人仍看淡明年上半年DRAM行情,部份外资分析师更直指DRAM价格要跌至一.八美元的完全成本(Full Loaded Cost)以下后,才有可能见到止跌迹象,所以对明年上半年DRAM市场景气,多半仍认为应该保守以对。
今年九月至十一月间,国内主机板及笔记型计算机业者出货量大增,但却看不到对DRAM下跌行情,有多大的“翻盘”作用存在,其中原因除了DDR及DDR2的主流规格转换不顺外,DRAM厂产能下半年不断开出,造成市场供给过剩亦是原因之一。不过对于明年行情如何,在芯片组厂释出供货将趋顺畅消息下,DRAM厂商已偏多看待,只是市场法人看法还是偏空,认为DRAM供给成长率未见缩小之前,心态仍应保守。
以历史经验来看,DRAM市场每年行情高点应会落在十月至十一月间,但是今年却是例外,价格高点在八月底、九月初时就已见到,且在短短不到四个月时间,DRAM平均价格已大跌四成幅度,不仅DRAM业者感到意外,连以主机板及笔记型计算机出货量来推估DRAM需求的市场法人,这回也失了准头,预测数字完全不准。
分析DRAM市场为何出现此一现象?主要原因有二,其一是包括OEM计算机大厂及大型模块厂等主要买家,因乐观看待下半年景气,今年六月起就开始大量回补库存,但第三季受到芯片组缺货影响,买气一直无法刺激出来,在主要买家都在去化库存的情况下,才会造成今年DRAM市场没有返校采购(back to school)及圣诞节旺季应有的强劲需求。
第二个原因,就是DRAM市场DDR及DDR2主流规格转换不顺,且DRAM厂新产能开出速度太快,也没见到NAND闪存及DRAM间出现产能排挤效应,其中又以后者原因影响最大。由于台湾DRAM厂认为国际大厂移转DRAM产能生产NAND芯片后,会造成DRAM供给量减少,所以大幅扩张产能量产,但是包括三星、Hynix、美光等业者在内,下半年DRAM月产能还是逐月增加,在错估市况下,造成DRAM供给过剩,自然见不到DRAM有好价格出现。
如今随着芯片组供货问题逐步获得解决,包括南亚科、茂德在内的DRAM厂,对明年第一季景气真是愈看愈乐观,认为第四季应出现而未出现的需求,会延后到明年发酵。只是在DRAM厂产能开出速度如装上马达般,源源不绝的开出下,市场法人仍看淡明年上半年DRAM行情,部份外资分析师更直指DRAM价格要跌至一.八美元的完全成本(Full Loaded Cost)以下后,才有可能见到止跌迹象,所以对明年上半年DRAM市场景气,多半仍认为应该保守以对。