TMS320VC33并行自举的两种巧妙实现方法
发布时间:2007/8/23 0:00:00 访问次数:2941
随着信息技术的飞速发展,数字信号处理器(DSP)得到了广泛的应用。现今高速DSP的内存不再基于Flash结构,而是采用存取速度更快的RAM结构。DSP掉电后,其内部RAM中的程序和数据将全部丢失,所以在脱离仿真器的环境中,通常做法是事先将程序的可执行代码存入片外的EPROM或Flash中。DSP芯片每次上电后自动进行自举,也就是常说的BOOTLOADER。DSP会通过固化在片内(ROM)的这段BOOTLOADER程序,将片外的EPROM或Flash中可执行代码通过某种方式搬移到片内或片外的RAM存储区,并自动执行。常用的自举方式有并行和串行自举两种.将可执行代码烧录到外部存储器,传统的做法是通过编程器完成。先利用CCS软件中的hex.exe文件将要写入的*.out文件转换成编程器能够识别的*.hex文件格式,再用编程器将转换后的*.hex文件烧录到外部EEROM中。然而,随着芯片制造工艺的不断提高,存储器正向小型化、贴片式的方向发展,很多贴片封装的存储器很难用编程器编程,更不可能频繁插拔。与传统的EEROM相比,Flash存储器具有支持在线擦写且擦写次数多、速度快、功耗低、容量大、价格低廉等优点。在这里,将针对TI公司的3000系列DSPTMS320VC33构成的系统,提出两种利用DSP自身对F1ash编程,以实现DSP并行自举的方法,并进行比较。
1 TMS320VC33对SST39VF400A的在系统编程
DSP与Flash的连接简化图如图1所示。
1.1 SS39VF400A芯片介绍
SS39VF400A是一种可读写的256×16KB的Flash,它的读操作与一般的RAM是一样的,但写操作不同于一般的RAM。一般的RAM只要选通它,加上写信号就可以写数据了;而对于SS39VF400A,在对其写信号进行相应配置后,还必须在相应的地址写入对应的数据(控制字),才能进行数据的写,类似的Flash擦除也是一样的。
1.2 TMS320VC33对SS739VF400A的编程操作
一般在烧写前,都要进行擦除操作,所以下面将分别给出使用TMS320VC33汇编语言编写的SST39VF400A擦除和烧写程序,具体如下。
(1)擦除程序
.data
datal .word 0AAH
data2 .word 055H
data3 .word 0AOH
data4 .word 080H
data5 .word 010H
addl .word 5555H
add2 .word 2AAAH
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ldi @addl,AR0
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ldi @datal,Ro
sti R0,*AR0
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RPTS 8000H
NOP
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(2)烧写程序
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NOP
2 TMS320VC33的并行自举
2.1 自举表
在介绍DSP并行自举过程之前,必须对DSP的自举表加以说明。自举表也称BOOT表,它需按照TI公司规定的格式来创建。该表中存放在DSP初始化时要用到的特殊寄存器,如STRB的值、程序入口地址、各段的目标首地址和长度以及要执行的代码。
2.2 “两次下载法”实现自举
所谓“两次下载法”就是首先将要烧入Flash的程序(称为程序1)通过仿真器下载到VC33的片内存储器中,这时要烧写到Flash中的可执行代码已经按照程序1中CMD文件定义的各段存储地址,相应的存放在里面。比如程序1的CMD文件定义如下:
MEMORY
{
RAMl:org=0x800000,len=0x1500
RAM2:org=0x801501,len=0x59
RAM3:org=0x801561,1en=0x738
RAM4:org=0x802300,len=0xFF
RAM5:org=0x802400,len=0x700
VECS;org=0x809fcl,len=03fh }
SECTIONS
{ .text ; {}>RAMl
.data ; {}>RAM2
.stack ; {}>RAM3
.cinit ; {}>RAM4
. bss ; {}>RAM5
.vectors; {}>VECS }
当将程序按照这个CMD文件下载到DSP中后,那么程序的各个段,比如.tex和.data段就相应的存放于DSP片内存储器的0x800000和0x801501开始的地址中了,而这些地址中的代码就是需要烧写进Flash中的可执行代码。这时下载完了后,不执行程序1,而是紧接着下载程序2。这个程序2的功能就是把先前下载进DSP片内存储器的各段地址中的代码按照各段顺序,利用前面说的VC33对SST39VF400A的编程操作,逐段从DSP片内存储器的各段地址中取出代码,然后再逐一写入Flash(SST39VF400A)中。写入时按照了MS320VC33自举表规定的那样,在各段要先写入程序入口地址、各段的目标首地址
随着信息技术的飞速发展,数字信号处理器(DSP)得到了广泛的应用。现今高速DSP的内存不再基于Flash结构,而是采用存取速度更快的RAM结构。DSP掉电后,其内部RAM中的程序和数据将全部丢失,所以在脱离仿真器的环境中,通常做法是事先将程序的可执行代码存入片外的EPROM或Flash中。DSP芯片每次上电后自动进行自举,也就是常说的BOOTLOADER。DSP会通过固化在片内(ROM)的这段BOOTLOADER程序,将片外的EPROM或Flash中可执行代码通过某种方式搬移到片内或片外的RAM存储区,并自动执行。常用的自举方式有并行和串行自举两种.将可执行代码烧录到外部存储器,传统的做法是通过编程器完成。先利用CCS软件中的hex.exe文件将要写入的*.out文件转换成编程器能够识别的*.hex文件格式,再用编程器将转换后的*.hex文件烧录到外部EEROM中。然而,随着芯片制造工艺的不断提高,存储器正向小型化、贴片式的方向发展,很多贴片封装的存储器很难用编程器编程,更不可能频繁插拔。与传统的EEROM相比,Flash存储器具有支持在线擦写且擦写次数多、速度快、功耗低、容量大、价格低廉等优点。在这里,将针对TI公司的3000系列DSPTMS320VC33构成的系统,提出两种利用DSP自身对F1ash编程,以实现DSP并行自举的方法,并进行比较。
1 TMS320VC33对SST39VF400A的在系统编程
DSP与Flash的连接简化图如图1所示。
1.1 SS39VF400A芯片介绍
SS39VF400A是一种可读写的256×16KB的Flash,它的读操作与一般的RAM是一样的,但写操作不同于一般的RAM。一般的RAM只要选通它,加上写信号就可以写数据了;而对于SS39VF400A,在对其写信号进行相应配置后,还必须在相应的地址写入对应的数据(控制字),才能进行数据的写,类似的Flash擦除也是一样的。
1.2 TMS320VC33对SS739VF400A的编程操作
一般在烧写前,都要进行擦除操作,所以下面将分别给出使用TMS320VC33汇编语言编写的SST39VF400A擦除和烧写程序,具体如下。
(1)擦除程序
.data
datal .word 0AAH
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(2)烧写程序
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2 TMS320VC33的并行自举
2.1 自举表
在介绍DSP并行自举过程之前,必须对DSP的自举表加以说明。自举表也称BOOT表,它需按照TI公司规定的格式来创建。该表中存放在DSP初始化时要用到的特殊寄存器,如STRB的值、程序入口地址、各段的目标首地址和长度以及要执行的代码。
2.2 “两次下载法”实现自举
所谓“两次下载法”就是首先将要烧入Flash的程序(称为程序1)通过仿真器下载到VC33的片内存储器中,这时要烧写到Flash中的可执行代码已经按照程序1中CMD文件定义的各段存储地址,相应的存放在里面。比如程序1的CMD文件定义如下:
MEMORY
{
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当将程序按照这个CMD文件下载到DSP中后,那么程序的各个段,比如.tex和.data段就相应的存放于DSP片内存储器的0x800000和0x801501开始的地址中了,而这些地址中的代码就是需要烧写进Flash中的可执行代码。这时下载完了后,不执行程序1,而是紧接着下载程序2。这个程序2的功能就是把先前下载进DSP片内存储器的各段地址中的代码按照各段顺序,利用前面说的VC33对SST39VF400A的编程操作,逐段从DSP片内存储器的各段地址中取出代码,然后再逐一写入Flash(SST39VF400A)中。写入时按照了MS320VC33自举表规定的那样,在各段要先写入程序入口地址、各段的目标首地址