内置650V GaN HEMT和栅极驱动器的功率级IC-BM3G0xxMUV-LB系列。 这些器件非常适合工业和消费应用（例如数据服务器和交流适配器）内的主电源。

消费者和工业部门越来越需要更多的能源节约，以实现可持续发展的社会。 虽然GaN HEMT有望显着促进小型化和提高功率转换效率，但与硅MOSFET相比，栅极驱动的难度较大，需要使用专用的栅极驱动器。 

为此，ROHM开发了功率级IC，利用核心功率和模拟技术，将GaN HEMT和栅极驱动器集成到单个封装中，从而大大简化了设计与安装。

NTCWS系列温度传感器支持极小的电阻和B值容差（±1%），可通过金丝键合安装于LD附近，以确保温度传感高度准确。NTCWS系列热敏电阻采用结构紧凑的无铅化设计，可在-40～125℃的温度范围内运行。

在电动汽车设计中，经常出现这样一个问题：设计人员对简便易用的分流技术青睐有加，却难以控制热预算。

在应用方面，该传感器芯片适用于多种用途：对于希望通过内部采购直流电流感应设计来降低生产成本的OEM和一级供应商，该数字器件提供了一种准确而可靠的监控解决方案，同时还可满足最高的功能安全要求.

选配件包括起到机械防扭保护作用的锁紧环，可装配在6.35mm的面板开孔中，以及红色或黑色帽盖。

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