单输出增强高频硬开关应用稳定性利用米勒钳位防止电源开关振荡
发布时间:2024/7/20 22:10:13 访问次数:83
STGAP2SICSA在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V(SO-8)和1200V(SO-8W)的电压工作。其小于45ns的输入到输出传播时间可确保高PWM精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)实现可靠的开关。
STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增强了高频硬开关应用的稳定性，利用米勒钳位来防止电源开关振荡。
除了体积小、功耗低之外,59177系列磁簧开关还具有多项设计、制造和终端用户优势。
由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。
典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET(以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃)或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。
Nexperia优化了其40V NextPowerS3 MOSFET，以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能，同时还提供更高的效率。
这些MOSFET采用LFPAK56封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。
内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。
这两款收发器芯片也非常适合雷达、激光雷达等机械旋转设备和仪器，以及机械臂等移动设备。由于没有机械磨损，芯片的使用寿命不受转数的限制，因此，工作可靠性高于滑环，特别是在高数据速率传输中，成本低于光纤旋转接头(FORJ)。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
STGAP2SICSA在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V(SO-8)和1200V(SO-8W)的电压工作。其小于45ns的输入到输出传播时间可确保高PWM精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)实现可靠的开关。
STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增强了高频硬开关应用的稳定性，利用米勒钳位来防止电源开关振荡。
除了体积小、功耗低之外,59177系列磁簧开关还具有多项设计、制造和终端用户优势。
由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。
典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET(以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃)或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。
Nexperia优化了其40V NextPowerS3 MOSFET，以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能，同时还提供更高的效率。
这些MOSFET采用LFPAK56封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。
内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。
这两款收发器芯片也非常适合雷达、激光雷达等机械旋转设备和仪器，以及机械臂等移动设备。由于没有机械磨损，芯片的使用寿命不受转数的限制，因此，工作可靠性高于滑环，特别是在高数据速率传输中，成本低于光纤旋转接头(FORJ)。
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