高频电路电感器满足更高安全性和可靠性标准AEC-Q200设计
发布时间:2024/7/20 21:51:24 访问次数:54
单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。
这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。
产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%.XC4VFX40-10FF1152I
ADC的关键指标包括：
静态参数：DNL微分非线性、INL 积分非线性
动态参数：SNR信噪比、ENOB有效位数、THD总谐波失真、SFDR 无杂散动态范围.
该系列为1005尺寸 (1.0×0.5×0.7毫米-长x宽x高)，电感范围从1.0nH至56nH。
用于汽车或基础设施的高频电路电感器必须满足更高的安全性和可靠性标准，基于AEC-Q200设计。
测试ADC芯片的SNDR无杂散动态范围、THD总谐波失真及ENOB有效比特位数等指标，一般需要通过信号发生器产生纯净的正弦波信号，输入到ADC中进行采样，得到的样本数据经过PC端的数据处理，得到动态频谱特性.
为此，Nexperia发布了采用2mmx2mm DFN2020封装的100V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。
模块可以取代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。
这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。
产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%.XC4VFX40-10FF1152I
ADC的关键指标包括：
静态参数：DNL微分非线性、INL 积分非线性
动态参数：SNR信噪比、ENOB有效位数、THD总谐波失真、SFDR 无杂散动态范围.
该系列为1005尺寸 (1.0×0.5×0.7毫米-长x宽x高)，电感范围从1.0nH至56nH。
用于汽车或基础设施的高频电路电感器必须满足更高的安全性和可靠性标准，基于AEC-Q200设计。
测试ADC芯片的SNDR无杂散动态范围、THD总谐波失真及ENOB有效比特位数等指标，一般需要通过信号发生器产生纯净的正弦波信号，输入到ADC中进行采样，得到的样本数据经过PC端的数据处理，得到动态频谱特性.
为此，Nexperia发布了采用2mmx2mm DFN2020封装的100V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。
模块可以取代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
