散热设计问题既能让适配器保持凉爽又能在更小的尺寸中提供更高功率
发布时间:2024/6/30 19:25:16 访问次数:70
低功耗氮化镓(GaN)系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。
GaN场效应晶体管(FET)全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
AS7058的超低噪声特性带来120dB的超高光学信噪比。与竞品相比，AS7058在心率、呼吸频率、血氧饱和度（SpO2）和血压等参数的PPG测量性能方面有了大幅改善。LM2594MX-5.0/NOPB
单通道数字D类放大器可以放置在电路板上的远程位置, 以最大限度地减少大电流电池和扬声器负载连接的布线。
超低反向工作电压(VRWM)的低功耗瞬态电压抑制器(TVS)，AOZ8S207BLS-01，旨在提供超低的寄生电容和快速的响应时间。基于AOS先进的超低击穿电压(VBR)TVS平台和创新型封装，这款TVS二极管可提供卓越的高速数据接口保护。
除此之外，AOZ8S207BLS-01 0.15pf的超低寄生电容能最大限度保证高速数据信号完整性，使其成为USB4和Thunderbolt 4接口静电放电(ESD)保护的理想选择。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
低功耗氮化镓(GaN)系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。
GaN场效应晶体管(FET)全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
AS7058的超低噪声特性带来120dB的超高光学信噪比。与竞品相比，AS7058在心率、呼吸频率、血氧饱和度（SpO2）和血压等参数的PPG测量性能方面有了大幅改善。LM2594MX-5.0/NOPB
单通道数字D类放大器可以放置在电路板上的远程位置, 以最大限度地减少大电流电池和扬声器负载连接的布线。
超低反向工作电压(VRWM)的低功耗瞬态电压抑制器(TVS)，AOZ8S207BLS-01，旨在提供超低的寄生电容和快速的响应时间。基于AOS先进的超低击穿电压(VBR)TVS平台和创新型封装，这款TVS二极管可提供卓越的高速数据接口保护。
除此之外，AOZ8S207BLS-01 0.15pf的超低寄生电容能最大限度保证高速数据信号完整性，使其成为USB4和Thunderbolt 4接口静电放电(ESD)保护的理想选择。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
