一个电驱逆变器模块连续工作测温系统的开发步骤和过程，并分析了影响功率模块使用寿命的并联碳化硅裸片之间的热失衡现象。电路布局引起的寄生元件和静态参数是引起并联器件热失衡的主要因素。

事实上，芯片升温将会减轻漏源通态电阻自然分布范围引起的热失衡现象。

关键参数：阈值电压(Vth)，它对开关的导通和关断性能影响很大，从而影响功率开关的能量损耗。 

两个并联芯片之间的阈压Vth差会导致能耗失衡，最终影响整个功率模块的性能。Vth对开关能耗的影响，证明当Vth升高500mV时，导通状态耗散功率升幅可能高达40%。

此外还给出了更准确的TLVR推导,通过指定适当的Vx状态,推导出的方程可以得出稳态（对于电流纹波)或瞬态下的电流摆率.10该推导是针对更准确的等效TLVR原理进行的。

该半导体器件拥有两个带有自动增益控制的可编程增益放大器（PGA），无需软件干预即可实现模拟前端的完全自主控制。

在这种情况下，重量、尺寸和成本是制约功率模块设计的主要因素。最初使用IGBT设计的三相半桥逆变器解决方案已经非常普及，目前采用性能更高的碳化硅功率模块设计逆变器是一种新趋势。

功率模块设计通常是热性能和电性能之间的权衡与折衷。

设计良好的功率模块，能够在上下桥臂开关管之间以及开关管内部裸片之间均衡分配电流，前提是它们的静态参数差异不大。

集成式12 V LDO（耐压42 V）无需外部电源，可直接通过12V铅酸电池为设备供电。集成式收发器可与LIN总线直接通信。该产品符合ISO26262 ASIL-C功能安全要求。

深圳市三得电子有限公司http://taixin168.51dzw.com