在提高功率密度和能效同时增强热性能减少元器件数量简化设计
发布时间:2024/3/18 12:55:17 访问次数:73
新型80V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET®Gen IV MOSFET组合在3.3mmx3.3mm PowerPAIR®3x3FS单体封装中。
Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5V下逻辑电平导通简化电路驱动。
智能手机和电脑等产品的USB TYPE-C接口非常普及，USB Type-C接口由于其接口特性，很容易遇到高压而损坏，所以USB接口保护非常关键。
在USB接口智能保护开关方面，国际芯片巨头占有主要份额。通过多年的努力和IP积累，希荻微的USB接口保护开关产品，已经实现了技术和市场的突破，获得众多品牌客户的采用。
HL5075芯片巧妙置于电源输出与负载之间,可有效隔离并保护电源,防止异常电压和电流对电源和负载造成损害。
如何检测无源晶振过驱：
使用示波器或频率计测量晶振的输出频率，与标称频率进行比较。过驱通常意味着频率偏离了晶振设计规格书中的规定频率范围。
通过示波器观察晶振输出的波形。过驱可能导致波形失真，如相位噪声增加、谐波成分增多等。
相位噪声是评价晶振稳定性的重要指标，高相位噪声可能意味着晶振已经过驱。
晶振的频率会随温度变化而变化。在不同温度下测试晶振的频率，看其稳定性如何，也有助于判断是否过驱。
安徽纽本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com
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Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5V下逻辑电平导通简化电路驱动。
智能手机和电脑等产品的USB TYPE-C接口非常普及，USB Type-C接口由于其接口特性，很容易遇到高压而损坏，所以USB接口保护非常关键。
在USB接口智能保护开关方面，国际芯片巨头占有主要份额。通过多年的努力和IP积累，希荻微的USB接口保护开关产品，已经实现了技术和市场的突破，获得众多品牌客户的采用。
HL5075芯片巧妙置于电源输出与负载之间,可有效隔离并保护电源,防止异常电压和电流对电源和负载造成损害。
如何检测无源晶振过驱：
使用示波器或频率计测量晶振的输出频率，与标称频率进行比较。过驱通常意味着频率偏离了晶振设计规格书中的规定频率范围。
通过示波器观察晶振输出的波形。过驱可能导致波形失真，如相位噪声增加、谐波成分增多等。
相位噪声是评价晶振稳定性的重要指标，高相位噪声可能意味着晶振已经过驱。
晶振的频率会随温度变化而变化。在不同温度下测试晶振的频率，看其稳定性如何，也有助于判断是否过驱。
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