HL5075能够更好地适配在目前最新一代处理器的I/O电压需求
发布时间:2024/3/18 12:59:29 访问次数:152
无源晶振是一种使用晶体元件来生成稳定频率的振荡器，它不像有源振荡器(如时钟芯片)那样需要外部电源。检测无源晶振是否过驱通常需要通过测量其输出波形和频率，与期望的规格进行比较。
因应市场需求，一款具有可调限流控制功能的USB接口过压保护（OVP）芯片——HL5075，作为接口保护开关产品线的家族产品，HL5075具备出色的软启动控制和低Rds(on)特性，与同系列HL5095芯片相比，新增了1.2V I/O支持，使得HL5075能够更好地适配在目前最新一代处理器的I/O电压需求。
双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。
为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。
为提高功率密度，该MOSFET在4.5V条件下导通电阻典型值降至18.5mW，达到业内先进水平。
系统中需要高精度电压测量单元，同时也可将其用作校准器，以确保待测点的电压在正常的工作电压范围内。这是自动化生产测试设备中不可或缺的一环。传统的DMM是一个不错的选择，具备高分辨率的出色性能和可靠性。
比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16%。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高高频开关应用的效率。
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54%。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36A，比接近的竞品器件高38%。
MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
安徽纽本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com
无源晶振是一种使用晶体元件来生成稳定频率的振荡器，它不像有源振荡器(如时钟芯片)那样需要外部电源。检测无源晶振是否过驱通常需要通过测量其输出波形和频率，与期望的规格进行比较。
因应市场需求，一款具有可调限流控制功能的USB接口过压保护（OVP）芯片——HL5075，作为接口保护开关产品线的家族产品，HL5075具备出色的软启动控制和低Rds(on)特性，与同系列HL5095芯片相比，新增了1.2V I/O支持，使得HL5075能够更好地适配在目前最新一代处理器的I/O电压需求。
双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。
为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。
为提高功率密度，该MOSFET在4.5V条件下导通电阻典型值降至18.5mW，达到业内先进水平。
系统中需要高精度电压测量单元，同时也可将其用作校准器，以确保待测点的电压在正常的工作电压范围内。这是自动化生产测试设备中不可或缺的一环。传统的DMM是一个不错的选择，具备高分辨率的出色性能和可靠性。
比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16%。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高高频开关应用的效率。
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54%。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36A，比接近的竞品器件高38%。
MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
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