及时切断电源或用绝缘物使触电者脱离电源用手去拉触电者
发布时间:2024/2/21 20:56:39 访问次数:62
7nm制程硅认证的IP核，其中包括高速序列串行解串器(SerDes)、第二代及第三代高带宽内存物理层(HBM Gen2/Gen3 PHY)、 芯片堆栈物理层(Die2Die PHY)、混合讯号及基础型硅智财等。 至于ASIC平台处理器核心则采用ARM核心及外围IP核。
在+200℃高温下工作的新系列HI-TMP®钽壳密封液钽电容器-T34。
T34系列轴向引线通孔器件具有更高的可靠性，提高了耐机械冲击和耐振动的能力，使用寿命更长，可用于工业和石油勘探应用。
与采用PLCC2封装，发射角为±60°的器件相比，Vishay今天推出的这颗器件的发射角为±62.5°，在20mA电流下的辐射功率为3.8mW，不需要另外加外置透镜。
单相触电是指人体站在地面或其他接地体上,人体的某一部位触及电气装置的任一相所引起的触电,这时电流就通过人体流入大地而造成单相触电事故。
DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。
VLMU60CL..-280-125采用AlGaN技术制造，正向电流为40mA，正向电压低至4.4V，波长从270nm到290nm。 发光二极管的性能规格使其非常适合用来净化水和空气、物理方式的表面杀菌、医院消毒，以及便携式消毒设备。
7纳米ASIC除了锁定深度学习等AI应用，以及抢进高效能运算(HPC)芯片市场外，也将采用CoWoS先进封装技术将HBM Gen2/Gen3等内存直接整合在芯片当中。
7nm制程硅认证的IP核，其中包括高速序列串行解串器(SerDes)、第二代及第三代高带宽内存物理层(HBM Gen2/Gen3 PHY)、 芯片堆栈物理层(Die2Die PHY)、混合讯号及基础型硅智财等。 至于ASIC平台处理器核心则采用ARM核心及外围IP核。
在+200℃高温下工作的新系列HI-TMP®钽壳密封液钽电容器-T34。
T34系列轴向引线通孔器件具有更高的可靠性，提高了耐机械冲击和耐振动的能力，使用寿命更长，可用于工业和石油勘探应用。
与采用PLCC2封装，发射角为±60°的器件相比，Vishay今天推出的这颗器件的发射角为±62.5°，在20mA电流下的辐射功率为3.8mW，不需要另外加外置透镜。
单相触电是指人体站在地面或其他接地体上,人体的某一部位触及电气装置的任一相所引起的触电,这时电流就通过人体流入大地而造成单相触电事故。
DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。另外，频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压，有利于更低的功耗。
VLMU60CL..-280-125采用AlGaN技术制造，正向电流为40mA，正向电压低至4.4V，波长从270nm到290nm。 发光二极管的性能规格使其非常适合用来净化水和空气、物理方式的表面杀菌、医院消毒，以及便携式消毒设备。
7纳米ASIC除了锁定深度学习等AI应用，以及抢进高效能运算(HPC)芯片市场外，也将采用CoWoS先进封装技术将HBM Gen2/Gen3等内存直接整合在芯片当中。
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