传统平面式快闪记忆体物理极限扩大因顾及制造工艺而受限容量规格
发布时间:2024/2/21 19:26:39 访问次数:61
电流通过人体的任何部位都可致人死亡,但以通过心脏、中枢神经(脑、脊髓)、呼吸系统最为危险。电流流经左手至前胸最危险,危害程度依次减小的其他触电路径是右手至脚、右手至左手、左脚至右脚。当触电电流流经脚部时,触电者可能因痉挛而摔倒,导致电流通过全身或发生二次事故。
触电者的伤害程度还与其性别、年龄、健康状况、精神状态等有关。若触电者本人的精神状态不良、心情忧郁、人弱体衰.自身的抵抗力低下.则触电的伤害程度较之健康者更严重。另外,相对于男性青壮年,妇女、儿童、老人及体重较轻者对耐受电流刺激的能力要弱一些。
一般而言，SLC有着最快速的程序编程与读取、使用寿命最长、价格最高，主要用于一些高端的军工规或企业级SSD;MLC的速度、寿命、价格适中，是目前中高阶企业级SSD的主流应用趋势;而低价SSD则普遍采用TLC颗粒，容量较高且价格相对低廉，但在性能、稳定度与使用寿命上却略显不足。
可垂直堆叠数层储存资料的3D NAND Flash技术使单位储存成本大幅下降后，SSD便突破传统平面式快闪记忆体的物理极限，扩大了以往因顾及制造工艺而受限的容量规格。
利用3D NAND Flash技术开发的产品，使其即便在使用MLC颗粒的状况下，也可达到2TB的超大容量。
电流互感器类似于一个初级匝数很少，次级匝数较多的变压器。理想情况下初次级电流之比与匝数比成反比，电流变换比例以初次级额定电流标注，例如“300A/5A”，表示被测电流为额定值300A时输出电流为5A。
在SSD的内部构造中，快闪存储器芯片颗粒是决定产品成本、使用寿命与读写速度的技术核心，共分为SLC、MLC、TLC三种类型。
3D NAND Flash制程技术也让TLC SSD的可抹写次数有所提升。在2D NAND Flash技术的时代，提升SSD的容量是要靠着微缩每个储存单位，来增加储存密度。
电流通过人体的任何部位都可致人死亡,但以通过心脏、中枢神经(脑、脊髓)、呼吸系统最为危险。电流流经左手至前胸最危险,危害程度依次减小的其他触电路径是右手至脚、右手至左手、左脚至右脚。当触电电流流经脚部时,触电者可能因痉挛而摔倒,导致电流通过全身或发生二次事故。
触电者的伤害程度还与其性别、年龄、健康状况、精神状态等有关。若触电者本人的精神状态不良、心情忧郁、人弱体衰.自身的抵抗力低下.则触电的伤害程度较之健康者更严重。另外,相对于男性青壮年,妇女、儿童、老人及体重较轻者对耐受电流刺激的能力要弱一些。
一般而言，SLC有着最快速的程序编程与读取、使用寿命最长、价格最高，主要用于一些高端的军工规或企业级SSD;MLC的速度、寿命、价格适中，是目前中高阶企业级SSD的主流应用趋势;而低价SSD则普遍采用TLC颗粒，容量较高且价格相对低廉，但在性能、稳定度与使用寿命上却略显不足。
可垂直堆叠数层储存资料的3D NAND Flash技术使单位储存成本大幅下降后，SSD便突破传统平面式快闪记忆体的物理极限，扩大了以往因顾及制造工艺而受限的容量规格。
利用3D NAND Flash技术开发的产品，使其即便在使用MLC颗粒的状况下，也可达到2TB的超大容量。
电流互感器类似于一个初级匝数很少，次级匝数较多的变压器。理想情况下初次级电流之比与匝数比成反比，电流变换比例以初次级额定电流标注，例如“300A/5A”，表示被测电流为额定值300A时输出电流为5A。
在SSD的内部构造中，快闪存储器芯片颗粒是决定产品成本、使用寿命与读写速度的技术核心，共分为SLC、MLC、TLC三种类型。
3D NAND Flash制程技术也让TLC SSD的可抹写次数有所提升。在2D NAND Flash技术的时代，提升SSD的容量是要靠着微缩每个储存单位，来增加储存密度。
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