SOI技术不存在寄生二极管结构，具有出色的稳健性， 以及业界一流的对VS引脚上抗负瞬态电压尖峰的能力。这些双通道栅极驱动器集成了自举二极管，可为外部高压侧自举电容供电，从而进一步降低系统级BOM成本。

这些半导体器件采用紧凑型3x3 mm² VSON10封装，并且提供半桥（HB）和高边+低边（HS+LS）两种配置以及两种不同的拉/灌电流，可以在各种应用中驱动n沟道MOSFET。

此外，相关的JEDEC78/20/22测试表明，MOTIX 160V解决方案完全满足工业应用要求。

300W和600W参考设计将SuperGaN FET与控制器配对，采用流行的功率因数校正 (PFC) 和谐振 LLC 拓扑，其中LLC特别针对宽电池电量范围（从空电到满电）的设计。利用 Transphorm 的 SuperGaN 平台，电源系统开发人员能够最大限度发挥PFC+LLC的性能潜力，以最具竞争力的成本实现这些拓扑所能达到的最高效率。

这两款参考设计采用纯模拟控制器，而不是需要固件的数字控制器。这种配置具有几个优点，例如更易于设计、产品开发简化，原因如下：

开发资源要求降低

开发时间缩短

无需进行可能很复杂的固件编程/维护

300W参考设计包括一个额外的 PWM 输入端口，用于获取低于额定输出值的输出电流，从而进一步提高了应对各类电池的灵活性。