超低损耗MOSFET/IGBT智能电源IC及集成功率模块等方面研发和创新
发布时间:2023/11/26 19:59:16 访问次数:96
模块将功率半导体与感测、驱动、保护及控制功能结合在一起。
智能功率模块就是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和优化的门极驱动电路,以及快速保护电路构成。
IPM内的IGBT管芯都选用高速型的,而且驱动电路紧靠IGBT,驱动延时小,所以IPM开关速度快,损耗小。“解开封装”(Un-packaging)技术是另一个有意义的研究领域,此技术将几个布有器件的(populated)的衬底机械整合,免除壳体、端子及基座。许多公司都在积极开发新的工艺技术。
以更薄、直径更大的晶圆和铜线夹来降低材料成本。第一只晶闸管的诞生开始,功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展,产生极佳的经济及社会效益。
一份报告可以看到,受益于采用获得的更高能效,可以使美国的经济规模扩大70%以上,与此同时,使用的电能却将减少11%。作为高能效功率电子技术领域的领先厂商,
一直专注于超低损耗MOSFET/IGBT、智能电源IC及集成功率模块等方面的研发和创新,而且取得了长足的进展。
随着时间的推移,功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小,功率密度越来越高。
小型升压DC-DC稳压器AS1345,为移动产品中的中小型或大型显示器提供高效的电源。生产具有不同尺寸显示器的移动终端产品生产商能够重复使用他们的显示器电源电路设计,节省开发时间并减少电路板组件和工具的成本。
同时利用封装技术实现产品创新,以更纤薄的封装、更低占位面积实现更高I/O密度,不断提高封装热效率及工作温度范围,也使每个封装的裸片尺寸选择更多。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司
模块将功率半导体与感测、驱动、保护及控制功能结合在一起。
智能功率模块就是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和优化的门极驱动电路,以及快速保护电路构成。
IPM内的IGBT管芯都选用高速型的,而且驱动电路紧靠IGBT,驱动延时小,所以IPM开关速度快,损耗小。“解开封装”(Un-packaging)技术是另一个有意义的研究领域,此技术将几个布有器件的(populated)的衬底机械整合,免除壳体、端子及基座。许多公司都在积极开发新的工艺技术。
以更薄、直径更大的晶圆和铜线夹来降低材料成本。第一只晶闸管的诞生开始,功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展,产生极佳的经济及社会效益。
一份报告可以看到,受益于采用获得的更高能效,可以使美国的经济规模扩大70%以上,与此同时,使用的电能却将减少11%。作为高能效功率电子技术领域的领先厂商,
一直专注于超低损耗MOSFET/IGBT、智能电源IC及集成功率模块等方面的研发和创新,而且取得了长足的进展。
随着时间的推移,功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小,功率密度越来越高。
小型升压DC-DC稳压器AS1345,为移动产品中的中小型或大型显示器提供高效的电源。生产具有不同尺寸显示器的移动终端产品生产商能够重复使用他们的显示器电源电路设计,节省开发时间并减少电路板组件和工具的成本。
同时利用封装技术实现产品创新,以更纤薄的封装、更低占位面积实现更高I/O密度,不断提高封装热效率及工作温度范围,也使每个封装的裸片尺寸选择更多。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司