AS1345提供100mA、200mA、350mA和500mA四种电感峰值电流限制的芯片版本，可以帮助设计师优化不同负载条件下的能效。

AS1345同时集成了功率开关和输出关断用MOSFET。

由SenseFET和一个可以关断启动电阻器的高压启动电路以及待机状态的“软间歇(soft burst)”运作来实现的，可以节电30mW并防止转换器产生可听见噪声。

这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating)，分别为2kV和3kV。

Trench 3工艺的下一代MOSFET产品，可用于台式机、笔记本和上网本等应用，有助于提升能效及开关性能，同时裸片尺寸更小。

氮化镓(GaN)晶圆生产工艺、GaN器件集成工艺、GaN制造工艺、GaN封装工艺、绝缘硅晶圆生产工艺、接触/隔离沟槽工艺模块、低电感封装、电感和电容集成等众多工艺技术.

功率模块本身就是功率电子器件按一定的功能组合灌封而成的。说它是一种封装技术一点也不为过。早期的功率模块在单个封装中整合多个闸流体/整流器，从而提供更高的额定功率。

在应用结构中，基带芯片、多媒体应用芯片和存储芯片仍然是手机芯片市场的前三大应用领域，合计占据总市场超过60%的份额。

在电压高于1 kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于1kV电压，特别是频率高于100kHz时，更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。

开发这类器件的主要挑战在于，在开关频率持续上升时，需要通过减小由导通阻抗导致的导电损耗、降低内部电容，以及改善反向恢复性能，将内部损耗降到最低。