随着尺寸的缩小和纵横比的上升,缺陷类型将限制新一代半导体的成品率。由于新工艺和新材料,缺陷的复杂度也提高了。界面的原子粗糙度将在确定缺陷类型和分布中起关键作用。

因此,一种缺陷检测工具不能满足所有用途。光学显微术将达到极限,对于任何250nm以下的测量,最好的光学显微镜也只能产生模糊的点。缺陷可广泛归类为随机或系统缺陷。

对于250nm特征尺寸的电路,80nm的粒子在引起掩模针孔或刻蚀鼠咬等情况下是可以承受的。

但对于特征尺寸10Onm的生产来说,需要降低到40nm。对洁净室、化学供应、设备负载和现场工艺等要格外注意。

铜(Cu)按下列顺序在生产中使用:

用钨埋层来接触源、漏和栅区,对于某些短连线可用钨形成图形,而其他金属化都可使用Cu;

Cu可用双镶嵌方法来形成图形;

扩散阻挡层将建立在%或TaN基础上;

用PVD或CVD沉积一个Cu仔晶层;

通过电镀用Cu填充通孔和沟道;

Cu的CMP。

三相定子绕组接线，线盒，定子绕组Y连接，定子绕组连接。

三相异步电动机定子绕组出线端标志，三相定子绕组按电源电压的不同和电动机铭牌上的接线要求,可接成星形(Y)或三角形(△)两种形式。三相异步电动机接线盒内的接线方法如下:

星形(Y)连接将三相绕组的U2、Ⅴ2、W2端接在一起,U1、V1、Wl端分别接三相电源。

三角形(△)连接将第一相绕组首端U1接第三相绕组的尾端W2,第二相绕组首端Ⅴ1接第一相绕组的尾端U2,第三相绕组的首端W1接第工相绕组尾端Ⅴ2,然后将三相绕组的首端U1、Ⅴ1、W1分别接三相电源。

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