通过紫外固化方法除去造孔剂从而在薄膜内留下纳米尺寸孔隙

发布时间:2023/10/3 14:07:46 访问次数:80

在后端的互连方面,主要的挑战来自RC延迟,为了降低RC延迟,电介质h值必须随着技术节点不断降低。

从180/130nm采用掺氟的氧化硅(FSG)到90/65/40nm采用致密掺碳的氧化硅(SiCOH),再到32nm以后的多孔的掺碳氧化硅(p SiCOH),材料的h值从3,5到3.0~2.7,再到小于2.5。

不仅金属间电介质,在铜化学机械抛光后的表面沉积介质阻挡层的乃值也必须不断降低。

后端的多孔掺碳氧化硅的沉积,在常规的等离子体增强CVD(PECVD)沉积过程中,需要加人造孔剂,然后通过紫外固化的方法除去造孔剂,从而在薄膜内留下纳米尺寸的孔隙。

搭建气敏电阻器的检测电路，在直流供电条件下,气敏电阻器根据敏感气体(这里以丁烷气体为例)的浓度变化,阻值发生变化,可在电路的输出端(R2螨)检测电压的变化进行判断。检测前,首先搭建电路的检浏环境。

电路环境中检测气敏电阻器的方法，根据实测结果可对气敏电阻器的好坏作出判断:

将气敏电阻器放置在电路中,气敏电阻器检测到气体浓度发生变化时所在电路申的电压参数也应发生变化,否则,多为气敏电阻器损坏。

在正常情况下,光敏电阻器应有一个固定阻值,所在环境光线变化时,阻值随之变化,否则多为光敏电阻器异常。

湿敏电阻器的检测方法与热敏电阻器的检测方法相似,不同的是在测过改变湿度条件,用万用表检测湿敏电阻器的阻值变化情况判断好坏,为电路中待测的湿敏电阻器。

即使采用相同的材料,由于要求的提高也可能需要采用新的沉积方法。

总而言之,随着技术节点的推进,对电介质薄膜沉积的材料和工艺都提出了更高的要求,新的材料和工艺将不断涌现。

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