识别待测时调电阻器的引脚功能,可调电阻器的检测方法，在路测量时应注意外围元器件的影嘀,根据实测结果对可调电阻器的好坏作出判断:

若两定片之间的阻值趋近于0或无穷大,则该可调电阻器已经损坏;

在正常情况下,定片与动片之间的阻值应小于标称值;

若定片与动片之问的最大阻值和定片与动片之问的最小阻值十分接近,则说明该可调电阻器已失去调节功能。

电介质在集成电路中主要提供器件、栅极和金属互连间的绝缘,选择的材料主要是氧化硅和氮化硅等,沉积方法主要是化学气相沉积(CVD)。

随着技术节点的不断演进,目前主流产品已经进人65/45nm,32/28nm产品的技术也已经出现,为了应对先进制程带来的挑战,电介质薄膜必须不断引入新的材料和新的工艺。

在45nm已经采用了高乃的栅极介质(主要是氧化铪基的材料,花值约为25),器件的漏电大幅降低一个数量级。

HfCl衽+H20~→H⒀2+HCl

前栅极工艺路线主要采用MOCVD沉积HsiO,然后通过热或等离子氮化生成HsiON。沉积温度较高(600~700℃),因为较高的沉积温度配合后续高温的氮化和氮化后热处理(1000℃),有助于去除薄膜中的C杂质,已知C杂质会在HfO2中形成施主能级,增大薄膜的漏电流。