Gavrielov以28纳米制程的低耗电高介电常数金属闸极(High-k Metal Gate)制程为例，在与台积电通力合作下，已产出最高性能、最高频宽、最低功耗的产品,将持续复製28纳米制程于系统单芯片(SoC)FPGA的成功经验于3D产品线上。 

硅穿孔(Through Silicon Via)技术、微凸块(Micro Bump)以及硅中介层(Silicon Interposer)制作出3D异质整合(Heterogeneous Integration)及同质(Homogeneous)整合产品的公司。

采用多晶圆代工厂的策略，所以对于先进制程的发展非常清楚，未来将携在3D领域的优势，掌握先进制程所带来的契机并解决技术挑战，延续28纳米制程的领导地位。

新款芯片借助多线程技术可实现更佳的整体数据处理能力、服务品质(QoS)和功耗/性能效率。两款新芯片组均采用多线程MIPS内核来控制不同的功能，包括高性能700MHz网络处理器子系统.

拥有超低的工作与待机功耗、最新的LTE特性与功能、以及广泛的主机和外围接口组合，新款Altair芯片组面向支持智能手机、平板电脑、移动热点、路由器和M2M等各种应用所设计。

在为这些设备取得成本、性能和功耗间的平衡时，多线程技术具有特别优势，它可显著提升多项延迟敏感型任务必须同时得到处理的应用性能。

32kB/56kB(G2xx4/G2xx5)的更高存储器闪存容量与提升达8倍的SRAM(4kB)，与标准8位微控制器相比，代码密度提高50%;

包括DIP、TSSOP、QFN以及DSBGA在内的各种封装选项可实现高度的设计灵活性;

支持高频率、低百万分率(PPM)外部晶体，可为支持高可靠高比特率串行通信实现不足0.1%的时钟源误差精度;

1μA待机功耗与不足1μs的唤醒时间均支持超低功耗;

诸如10位模数转换器(ADC),UART,比较器以及串行通信等集成智能外设可卸载CPU任务,提高电源效率.

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