位置:51电子网 » 技术资料 » D S P

散热降到最低可以生产外形更输出功率更高的电源适配器

发布时间:2023/7/29 22:13:25 访问次数:52

650V氮化镓开关管,驱动电路和逻辑电路,其开关速度是硅类开关管的10倍至100倍,以达到更高系统功率密度,更高效率和更低成本。

基于其专利的AllGaN™650V单片平台上研发的业界首款氮化镓(GaN)驱动与功率集成芯片。集成逻辑电路,驱动电路的氮化镓功率芯片(GaNPower IC)能够实现比现有的硅电路高10倍至100倍的开关频率,使得系统体积更小,重量更轻,成本更低。

新一代高频(10x~100x),高效率的电源变换器正在应用于智能手机和笔记本充电器,OLED电视, LED照明,太阳能逆变器,无线充电设备和数据中心电源。

用户还可以选择40mA~100mA(增量为10mA)负载限制电路。负载短路检测基于用户选择的极限电流×0.3和极限电流×1.0(可选,0.1步)。负载开路检测在2.5mA~30mA内可选,增量为2.5mA。

还具有各种低功耗外设(包括UART和提供停止模式的定时器)和低功耗模拟外设(例如运算放大器、比较器、12位DAC和16位ADC。

提供2种变体,即STM32L476(USB和LCD)和STM32L486(USB、LCD和AES)。STM32L4系列与整个STM32系列引脚兼容。还提供基于STM32L476VG MCU的STM32L4探索套件。

电容器可在-55℃~+85℃的温度范围内工作,电压降额时,在120Hz和+25℃下的最大ESR低至1.50Ω。电容器采用标准锡/铅(Sn/Pb)端接,也提供符合RoHS的100%锡端接。

电容器采用高可靠性设计,有很强的耐振动(周期振动:50g;随机振动:27.8g)能力。

数字式低功耗同步整流器控制器iW673可与QC3.0芯片组一起使用,使整体系统效率可达90%左右。这将散热降到了最低,从而可以生产外形更小、输出功率更高的电源适配器,为AC/DC适配器设计增加了对消费者的吸引力。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

650V氮化镓开关管,驱动电路和逻辑电路,其开关速度是硅类开关管的10倍至100倍,以达到更高系统功率密度,更高效率和更低成本。

基于其专利的AllGaN™650V单片平台上研发的业界首款氮化镓(GaN)驱动与功率集成芯片。集成逻辑电路,驱动电路的氮化镓功率芯片(GaNPower IC)能够实现比现有的硅电路高10倍至100倍的开关频率,使得系统体积更小,重量更轻,成本更低。

新一代高频(10x~100x),高效率的电源变换器正在应用于智能手机和笔记本充电器,OLED电视, LED照明,太阳能逆变器,无线充电设备和数据中心电源。

用户还可以选择40mA~100mA(增量为10mA)负载限制电路。负载短路检测基于用户选择的极限电流×0.3和极限电流×1.0(可选,0.1步)。负载开路检测在2.5mA~30mA内可选,增量为2.5mA。

还具有各种低功耗外设(包括UART和提供停止模式的定时器)和低功耗模拟外设(例如运算放大器、比较器、12位DAC和16位ADC。

提供2种变体,即STM32L476(USB和LCD)和STM32L486(USB、LCD和AES)。STM32L4系列与整个STM32系列引脚兼容。还提供基于STM32L476VG MCU的STM32L4探索套件。

电容器可在-55℃~+85℃的温度范围内工作,电压降额时,在120Hz和+25℃下的最大ESR低至1.50Ω。电容器采用标准锡/铅(Sn/Pb)端接,也提供符合RoHS的100%锡端接。

电容器采用高可靠性设计,有很强的耐振动(周期振动:50g;随机振动:27.8g)能力。

数字式低功耗同步整流器控制器iW673可与QC3.0芯片组一起使用,使整体系统效率可达90%左右。这将散热降到了最低,从而可以生产外形更小、输出功率更高的电源适配器,为AC/DC适配器设计增加了对消费者的吸引力。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

热门点击

 

推荐技术资料

业余条件下PCM2702
    PGM2702采用SSOP28封装,引脚小而密,EP3... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!